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IRF7416QPbF
4000
3000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss =C ds +C gd
20
16
I D = -5.6A
V DS = -24V
V DS = -15V
C iss
12
2000
C oss
8
1000
C rss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIGURE 9
60 80
A
100
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100us
T J = 150°C
10
T J = 25°C
10
1ms
V GS = 0V
T A = 25 ° C
1
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
A
10ms
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1             1             10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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